PMN52XP Todos los transistores

 

PMN52XP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMN52XP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.53 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.062 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 

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PMN52XP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:718K  nxp
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PMN52XP

PMN52XP20 V, P-channel Trench MOSFET29 January 2016 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Enhanced power dissipation capability of 1240 mW

Otros transistores... PMN30UN , PMN30UNE , PMN30XP , PMN30XPE , PMN40ENA , PMN40ENE , PMN48XPA , PMN50EPE , 2N7002 , PMN55ENE , PMN55ENEA , PMN70EPE , PMN70XP , PMPB100ENE , PMPB100XPEA , PMPB10EN , PMPB10UP .

History: DMT6016LFDF | SSM9973GJ | SSU1N45

 

 
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