PMN52XP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMN52XP
Código: H3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.53 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.9 VQgⓘ - Carga de la puerta: 8.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 4.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.062 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PMN52XP
PMN52XP Datasheet (PDF)
pmn52xp.pdf
PMN52XP20 V, P-channel Trench MOSFET29 January 2016 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Enhanced power dissipation capability of 1240 mW
Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
Liste
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