Справочник MOSFET. PMN52XP

 

PMN52XP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMN52XP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.53 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.062 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для PMN52XP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN52XP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:718K  nxp
 pmn52xp.pdf pdf_icon

PMN52XP

PMN52XP20 V, P-channel Trench MOSFET29 January 2016 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Enhanced power dissipation capability of 1240 mW

Другие MOSFET... PMN30UN , PMN30UNE , PMN30XP , PMN30XPE , PMN40ENA , PMN40ENE , PMN48XPA , PMN50EPE , 2N7002 , PMN55ENE , PMN55ENEA , PMN70EPE , PMN70XP , PMPB100ENE , PMPB100XPEA , PMPB10EN , PMPB10UP .

 

 
Back to Top

 


 
.