PMN52XP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMN52XP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.062 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для PMN52XP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN52XP даташит

 ..1. Size:718K  nxp
 pmn52xp.pdf pdf_icon

PMN52XP

PMN52XP 20 V, P-channel Trench MOSFET 29 January 2016 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Enhanced power dissipation capability of 1240 mW

Другие IGBT... PMN30UN, PMN30UNE, PMN30XP, PMN30XPE, PMN40ENA, PMN40ENE, PMN48XPA, PMN50EPE, MMIS60R580P, PMN55ENE, PMN55ENEA, PMN70EPE, PMN70XP, PMPB100ENE, PMPB100XPEA, PMPB10EN, PMPB10UP