PMN55ENEA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMN55ENEA
Código: J4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.667 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.7 VQgⓘ - Carga de la puerta: 8.8 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 49 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PMN55ENEA
PMN55ENEA Datasheet (PDF)
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