PMN55ENEA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMN55ENEA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.667 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 49 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: TSOP6

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PMN55ENEA datasheet

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PMN55ENEA

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PMN55ENEA

PMN55ENE 60 V, N-channel Trench MOSFET 14 December 2017 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching ElectroStatic Disch

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