Справочник MOSFET. PMN55ENEA

 

PMN55ENEA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMN55ENEA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.667 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для PMN55ENEA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN55ENEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  nxp
 pmn55enea.pdf pdf_icon

PMN55ENEA

PMN55ENEA60 V, N-channel Trench MOSFET26 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology E

 6.1. Size:271K  nxp
 pmn55ene.pdf pdf_icon

PMN55ENEA

PMN55ENE60 V, N-channel Trench MOSFET14 December 2017 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching ElectroStatic Disch

Другие MOSFET... PMN30XP , PMN30XPE , PMN40ENA , PMN40ENE , PMN48XPA , PMN50EPE , PMN52XP , PMN55ENE , AO3407 , PMN70EPE , PMN70XP , PMPB100ENE , PMPB100XPEA , PMPB10EN , PMPB10UP , PMPB10XNEA , PMPB12UNE .

History: DMT3020LFDB | AM9926 | PHB191NQ06LT

 

 
Back to Top

 


 
.