PMN55ENEA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMN55ENEA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.667 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для PMN55ENEA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN55ENEA даташит

 ..1. Size:265K  nxp
 pmn55enea.pdf pdf_icon

PMN55ENEA

PMN55ENEA 60 V, N-channel Trench MOSFET 26 April 2019 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology E

 6.1. Size:271K  nxp
 pmn55ene.pdf pdf_icon

PMN55ENEA

PMN55ENE 60 V, N-channel Trench MOSFET 14 December 2017 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching ElectroStatic Disch

Другие IGBT... PMN30XP, PMN30XPE, PMN40ENA, PMN40ENE, PMN48XPA, PMN50EPE, PMN52XP, PMN55ENE, AO4407A, PMN70EPE, PMN70XP, PMPB100ENE, PMPB100XPEA, PMPB10EN, PMPB10UP, PMPB10XNEA, PMPB12UNE