PMN70XP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMN70XP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.53 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.088 Ohm

Encapsulados: TSOP6

 Búsqueda de reemplazo de PMN70XP MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PMN70XP datasheet

 ..1. Size:735K  nxp
 pmn70xp.pdf pdf_icon

PMN70XP

PMN70XP 20 V, P-channel Trench MOSFET 29 January 2016 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power dissipat

 0.1. Size:201K  nxp
 pmn70xpe.pdf pdf_icon

PMN70XP

 0.2. Size:276K  nxp
 pmn70xpea.pdf pdf_icon

PMN70XP

 9.1. Size:265K  nxp
 pmn70epe.pdf pdf_icon

PMN70XP

PMN70EPE 30 V, P-channel Trench MOSFET 23 May 2017 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching Enhanced power dissipati

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... PMN40ENA, PMN40ENE, PMN48XPA, PMN50EPE, PMN52XP, PMN55ENE, PMN55ENEA, PMN70EPE, IRFP064N, PMPB100ENE, PMPB100XPEA, PMPB10EN, PMPB10UP, PMPB10XNEA, PMPB12UNE, PMPB12UNEA, PMPB13UP