PMN70XP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMN70XP

Маркировка: H5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 5 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для PMN70XP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN70XP даташит

 ..1. Size:735K  nxp
 pmn70xp.pdf pdf_icon

PMN70XP

PMN70XP 20 V, P-channel Trench MOSFET 29 January 2016 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power dissipat

 0.1. Size:201K  nxp
 pmn70xpe.pdf pdf_icon

PMN70XP

 0.2. Size:276K  nxp
 pmn70xpea.pdf pdf_icon

PMN70XP

 9.1. Size:265K  nxp
 pmn70epe.pdf pdf_icon

PMN70XP

PMN70EPE 30 V, P-channel Trench MOSFET 23 May 2017 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching Enhanced power dissipati

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMN40ENA, PMN40ENE, PMN48XPA, PMN50EPE, PMN52XP, PMN55ENE, PMN55ENEA, PMN70EPE, IRFP064N, PMPB100ENE, PMPB100XPEA, PMPB10EN, PMPB10UP, PMPB10XNEA, PMPB12UNE, PMPB12UNEA, PMPB13UP