Справочник MOSFET. PMN70XP

 

PMN70XP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PMN70XP
   Маркировка: H5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.53 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6

 Аналог (замена) для PMN70XP

 

 

PMN70XP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:735K  nxp
 pmn70xp.pdf

PMN70XP PMN70XP

PMN70XP20 V, P-channel Trench MOSFET29 January 2016 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power dissipat

 0.1. Size:201K  nxp
 pmn70xpe.pdf

PMN70XP PMN70XP

PMN70XPE20 V, single P-channel Trench MOSFET6 July 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology

 0.2. Size:276K  nxp
 pmn70xpea.pdf

PMN70XP PMN70XP

PMN70XPEA20 V, single P-channel Trench MOSFET19 June 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Fast switching Trench MOSFET technology 2 kV ESD protection

 9.1. Size:265K  nxp
 pmn70epe.pdf

PMN70XP PMN70XP

PMN70EPE30 V, P-channel Trench MOSFET23 May 2017 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching Enhanced power dissipati

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top