PMPB50ENE Todos los transistores

 

PMPB50ENE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMPB50ENE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT1220
 

 Búsqueda de reemplazo de PMPB50ENE MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PMPB50ENE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:295K  nxp
 pmpb50ene.pdf pdf_icon

PMPB50ENE

PMPB50ENE30 V, N-channel Trench MOSFET26 April 2018 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Small and leadless ultra thin SMD pl

 9.1. Size:741K  nxp
 pmpb55enea.pdf pdf_icon

PMPB50ENE

PMPB55ENEA60 V, N-channel Trench MOSFET6 June 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2

 9.2. Size:296K  nxp
 pmpb55xnea.pdf pdf_icon

PMPB50ENE

PMPB55XNEA30 V, N-channel Trench MOSFET29 March 2017 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Small and leadless ultra thin SMD p

Otros transistores... PMPB24EP , PMPB25ENE , PMPB27EPA , PMPB29XNEA , PMPB29XPEA , PMPB30XPE , PMPB43XPEA , PMPB48EPA , IRFP250N , PMPB55ENEA , PMPB55XNEA , PMPB8XN , PMT200EPE , PMT280ENEA , PMT560ENEA , PMV100ENEA , PMV100XPEA .

History: 4N80L-TF1-T | 2N90G-TN3-R | IPA65R225C7 | AM2342 | AP30T10GK-HF | IXTM4N50A | AP8604CDT

 

 
Back to Top

 


 
.