PMPB50ENE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PMPB50ENE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm
Тип корпуса: SOT1220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
PMPB50ENE Datasheet (PDF)
pmpb50ene.pdf

PMPB50ENE30 V, N-channel Trench MOSFET26 April 2018 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Small and leadless ultra thin SMD pl
pmpb55enea.pdf

PMPB55ENEA60 V, N-channel Trench MOSFET6 June 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2
pmpb55xnea.pdf

PMPB55XNEA30 V, N-channel Trench MOSFET29 March 2017 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Small and leadless ultra thin SMD p
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: RJK0390DPA | NCE3065K | NCE65N680D | KHB1D0N70G | STW26NM60ND | SSF60R070S2E | PSMN004-55W
History: RJK0390DPA | NCE3065K | NCE65N680D | KHB1D0N70G | STW26NM60ND | SSF60R070S2E | PSMN004-55W



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent | 2sc4883