PMT200EPE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMT200EPE
Código: T2EPE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 10.6 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.167 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PMT200EPE
PMT200EPE Datasheet (PDF)
pmt200epe.pdf
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PMT200EN100 V N-channel Trench MOSFET25 October 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT223(SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technolo
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