Справочник MOSFET. PMT200EPE

 

PMT200EPE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PMT200EPE
   Маркировка: T2EPE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.167 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для PMT200EPE

 

 

PMT200EPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  nxp
 pmt200epe.pdf

PMT200EPE PMT200EPE

PMT200EPE70 V, P-channel Trench MOSFET14 March 2018 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power SOT223 (SC-73)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic D

 7.1. Size:213K  nxp
 pmt200en.pdf

PMT200EPE PMT200EPE

PMT200EN100 V N-channel Trench MOSFET25 October 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT223(SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technolo

 9.1. Size:225K  prisemi
 ppmt20v4e.pdf

PMT200EPE PMT200EPE

PPMT20V4E P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary V (V) R () I (A) DS DS(on) DG1-20 0.037 @ V =-4.5V -4 GSS2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage V -20VDSGate-Source Voltage V 10 V GSDrain Current Contin

 9.2. Size:109K  prisemi
 ppmt20v3.pdf

PMT200EPE PMT200EPE

PPMT20V3 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) G10.08 @ VGS=-4.5V -20 -2.8 0.11@ VGS=-2.5V S2 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTE

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top