PMT280ENEA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PMT280ENEA
   Código: 28ENEA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.77 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.7 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.385 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PMT280ENEA

PMT280ENEA Datasheet (PDF)

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pmt280enea.pdf

PMT280ENEA100 V N-channel Trench MOSFET14 July 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power SOT223(SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic

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