PMT280ENEA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PMT280ENEA
Маркировка: 28ENEA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.77 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.7 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.385 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для PMT280ENEA
PMT280ENEA Datasheet (PDF)
pmt280enea.pdf
PMT280ENEA100 V N-channel Trench MOSFET14 July 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power SOT223(SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100