PMT560ENEA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMT560ENEA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.715 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de PMT560ENEA MOSFET
PMT560ENEA Datasheet (PDF)
pmt560enea.pdf

PMT560ENEA100 V N-channel Trench MOSFET14 July 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power SOT223(SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic
Otros transistores... PMPB43XPEA , PMPB48EPA , PMPB50ENE , PMPB55ENEA , PMPB55XNEA , PMPB8XN , PMT200EPE , PMT280ENEA , 7N65 , PMV100ENEA , PMV100XPEA , PMV15ENEA , PMV15UNEA , PMV164ENEA , PMV19XNEA , PMV20XNEA , PMV230ENEA .
History: CMLDM8002AG | AM90P06-08P | NCE2312X | HGP1K2N20ML | DMP56D0UFB | CJP12N60 | STF23NM50N
History: CMLDM8002AG | AM90P06-08P | NCE2312X | HGP1K2N20ML | DMP56D0UFB | CJP12N60 | STF23NM50N



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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