PMT560ENEA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PMT560ENEA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.715 Ohm

Тип корпуса: SOT223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PMT560ENEA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMT560ENEA даташит

 ..1. Size:738K  nxp
 pmt560enea.pdf pdf_icon

PMT560ENEA

PMT560ENEA 100 V N-channel Trench MOSFET 14 July 2016 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic

Другие IGBT... PMPB43XPEA, PMPB48EPA, PMPB50ENE, PMPB55ENEA, PMPB55XNEA, PMPB8XN, PMT200EPE, PMT280ENEA, IRF630, PMV100ENEA, PMV100XPEA, PMV15ENEA, PMV15UNEA, PMV164ENEA, PMV19XNEA, PMV20XNEA, PMV230ENEA