Справочник MOSFET. PMT560ENEA

 

PMT560ENEA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMT560ENEA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.715 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для PMT560ENEA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMT560ENEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:738K  nxp
 pmt560enea.pdf pdf_icon

PMT560ENEA

PMT560ENEA100 V N-channel Trench MOSFET14 July 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power SOT223(SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic

Другие MOSFET... PMPB43XPEA , PMPB48EPA , PMPB50ENE , PMPB55ENEA , PMPB55XNEA , PMPB8XN , PMT200EPE , PMT280ENEA , 7N65 , PMV100ENEA , PMV100XPEA , PMV15ENEA , PMV15UNEA , PMV164ENEA , PMV19XNEA , PMV20XNEA , PMV230ENEA .

History: MTP4835Q8 | PT4606 | AUIRF8736M2TR | AONR34332C | IPD90N06S4-05

 

 
Back to Top

 


 
.