PMV100XPEA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMV100XPEA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.463 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.128 Ohm

Encapsulados: SOT23

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de PMV100XPEA MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PMV100XPEA datasheet

 ..1. Size:265K  nxp
 pmv100xpea.pdf pdf_icon

PMV100XPEA

PMV100XPEA 20 V, P-channel Trench MOSFET 15 June 2017 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Dischar

 8.1. Size:717K  nxp
 pmv100enea.pdf pdf_icon

PMV100XPEA

PMV100ENEA 30 V, N-channel Trench MOSFET 17 March 2016 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Disc

Otros transistores... PMPB50ENE, PMPB55ENEA, PMPB55XNEA, PMPB8XN, PMT200EPE, PMT280ENEA, PMT560ENEA, PMV100ENEA, AON7408, PMV15ENEA, PMV15UNEA, PMV164ENEA, PMV19XNEA, PMV20XNEA, PMV230ENEA, PMV25ENEA, PMV27UPEA