PMV100XPEA Todos los transistores

 

PMV100XPEA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMV100XPEA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.463 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.128 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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PMV100XPEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  nxp
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PMV100XPEA

PMV100XPEA20 V, P-channel Trench MOSFET15 June 2017 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Dischar

 8.1. Size:717K  nxp
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PMV100XPEA

PMV100ENEA30 V, N-channel Trench MOSFET17 March 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Disc

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History: ME13N10A-G | AM90P10-60B | MDHT3N40URH | AP6P090J | 7N80G-TA3-T | TMPF8N25Z | AOTL66912

 

 
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