Справочник MOSFET. PMV100XPEA

 

PMV100XPEA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMV100XPEA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.463 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.128 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для PMV100XPEA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV100XPEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  nxp
 pmv100xpea.pdf pdf_icon

PMV100XPEA

PMV100XPEA20 V, P-channel Trench MOSFET15 June 2017 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Dischar

 8.1. Size:717K  nxp
 pmv100enea.pdf pdf_icon

PMV100XPEA

PMV100ENEA30 V, N-channel Trench MOSFET17 March 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Disc

Другие MOSFET... PMPB50ENE , PMPB55ENEA , PMPB55XNEA , PMPB8XN , PMT200EPE , PMT280ENEA , PMT560ENEA , PMV100ENEA , 2N7000 , PMV15ENEA , PMV15UNEA , PMV164ENEA , PMV19XNEA , PMV20XNEA , PMV230ENEA , PMV25ENEA , PMV27UPEA .

History: 2SK2323 | HGP115N15S | SI1410EDH | SPP17N80C3 | CM2N60C | P1004HV | SI1302DL

 

 
Back to Top

 


 
.