PMV230ENEA Todos los transistores

 

PMV230ENEA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMV230ENEA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.222 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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PMV230ENEA Datasheet (PDF)

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PMV230ENEA

PMV230ENEA60V, N-channel Trench MOSFET2 March 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Discha

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History: AM3933P | STF42N65M5 | APT6013LFLLG | IXTH05N250P3HV | DH300N08F | BSC057N03MSG | IRF7755GPBF

 

 
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