PMV230ENEA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PMV230ENEA
Маркировка: DY*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.48 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.7 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 3.9 nC
Время нарастания (tr): 8.2 ns
Выходная емкость (Cd): 15 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.222 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для PMV230ENEA
PMV230ENEA Datasheet (PDF)
..1. Size:730K nxp
pmv230enea.pdf
pmv230enea.pdf
PMV230ENEA60V, N-channel Trench MOSFET2 March 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Discha
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
