PMV230ENEA - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PMV230ENEA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.222 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для PMV230ENEA
PMV230ENEA технические параметры
pmv230enea.pdf
PMV230ENEA 60V, N-channel Trench MOSFET 2 March 2016 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Discha
Другие MOSFET... PMT560ENEA , PMV100ENEA , PMV100XPEA , PMV15ENEA , PMV15UNEA , PMV164ENEA , PMV19XNEA , PMV20XNEA , IRLB4132 , PMV25ENEA , PMV27UPEA , PMV280ENEA , PMV28ENEA , PMV28UNEA , PMV30ENEA , PMV30XPA , PMV30XPEA .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
2sc984 | 2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet


