PMV35EPE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PMV35EPE
   Código: EK*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.48 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4.2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 12.8 nC
   Tiempo de subida (tr): 19 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 134 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PMV35EPE

PMV35EPE Datasheet (PDF)

..1. Size:723K nxp
pmv35epe.pdf

PMV35EPE30 V, P-channel Trench MOSFET6 July 2016 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Discharge

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: