PMV35EPE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PMV35EPE  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 134 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PMV35EPE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV35EPE даташит

 ..1. Size:723K  nxp
 pmv35epe.pdf pdf_icon

PMV35EPE

PMV35EPE 30 V, P-channel Trench MOSFET 6 July 2016 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Discharge

Другие IGBT... PMV25ENEA, PMV27UPEA, PMV280ENEA, PMV28ENEA, PMV28UNEA, PMV30ENEA, PMV30XPA, PMV30XPEA, AON7410, PMV37ENEA, PMV42ENE, PMV450ENEA, PMV48XPA2, PMV52ENEA, PMV55ENEA, PMV60ENEA, PMV65ENEA