Справочник MOSFET. PMV35EPE

 

PMV35EPE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PMV35EPE
   Маркировка: EK*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.48 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.2 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 12.8 nC
   Время нарастания (tr): 19 ns
   Выходная емкость (Cd): 134 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для PMV35EPE

 

 

PMV35EPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:723K  nxp
 pmv35epe.pdf

PMV35EPE PMV35EPE

PMV35EPE30 V, P-channel Trench MOSFET6 July 2016 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Discharge

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top