PMV42ENE Todos los transistores

 

PMV42ENE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMV42ENE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de PMV42ENE MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PMV42ENE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:724K  nxp
 pmv42ene.pdf pdf_icon

PMV42ENE

PMV42ENE30 V, N-channel Trench MOSFET16 March 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Logic level compatible Low on-state resistance Trench MOSFET technology ElectroStatic Di

Otros transistores... PMV280ENEA , PMV28ENEA , PMV28UNEA , PMV30ENEA , PMV30XPA , PMV30XPEA , PMV35EPE , PMV37ENEA , 4435 , PMV450ENEA , PMV48XPA2 , PMV52ENEA , PMV55ENEA , PMV60ENEA , PMV65ENEA , PMV74EPE , PMV88ENEA .

History: STF20NF06L | IPB029N06N3G | AFN501DEA | PMN230ENE | VBZE30N03 | 2SK3481

 

 
Back to Top

 


 
.