PMV42ENE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMV42ENE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PMV42ENE
Principales características: PMV42ENE
pmv42ene.pdf
PMV42ENE 30 V, N-channel Trench MOSFET 16 March 2016 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic level compatible Low on-state resistance Trench MOSFET technology ElectroStatic Di
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Liste
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