PMV42ENE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMV42ENE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de PMV42ENE MOSFET
PMV42ENE Datasheet (PDF)
pmv42ene.pdf

PMV42ENE30 V, N-channel Trench MOSFET16 March 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Logic level compatible Low on-state resistance Trench MOSFET technology ElectroStatic Di
Otros transistores... PMV280ENEA , PMV28ENEA , PMV28UNEA , PMV30ENEA , PMV30XPA , PMV30XPEA , PMV35EPE , PMV37ENEA , 4435 , PMV450ENEA , PMV48XPA2 , PMV52ENEA , PMV55ENEA , PMV60ENEA , PMV65ENEA , PMV74EPE , PMV88ENEA .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140