Справочник MOSFET. PMV42ENE

 

PMV42ENE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMV42ENE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для PMV42ENE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV42ENE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:724K  nxp
 pmv42ene.pdf pdf_icon

PMV42ENE

PMV42ENE30 V, N-channel Trench MOSFET16 March 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Logic level compatible Low on-state resistance Trench MOSFET technology ElectroStatic Di

Другие MOSFET... PMV280ENEA , PMV28ENEA , PMV28UNEA , PMV30ENEA , PMV30XPA , PMV30XPEA , PMV35EPE , PMV37ENEA , 4435 , PMV450ENEA , PMV48XPA2 , PMV52ENEA , PMV55ENEA , PMV60ENEA , PMV65ENEA , PMV74EPE , PMV88ENEA .

History: QM3018M6

 

 
Back to Top

 


 
.