PMV42ENE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PMV42ENE  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PMV42ENE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV42ENE даташит

 ..1. Size:724K  nxp
 pmv42ene.pdf pdf_icon

PMV42ENE

PMV42ENE 30 V, N-channel Trench MOSFET 16 March 2016 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic level compatible Low on-state resistance Trench MOSFET technology ElectroStatic Di

Другие IGBT... PMV280ENEA, PMV28ENEA, PMV28UNEA, PMV30ENEA, PMV30XPA, PMV30XPEA, PMV35EPE, PMV37ENEA, 5N65, PMV450ENEA, PMV48XPA2, PMV52ENEA, PMV55ENEA, PMV60ENEA, PMV65ENEA, PMV74EPE, PMV88ENEA