PMV88ENEA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PMV88ENEA
   Código: HT*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.615 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2.2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.7 V
   Carga de la puerta (Qg): 4 nC
   Tiempo de subida (tr): 6 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 24 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.117 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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PMV88ENEA Datasheet (PDF)

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