Справочник MOSFET. PMV88ENEA

 

PMV88ENEA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMV88ENEA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.615 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.117 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для PMV88ENEA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV88ENEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:266K  nxp
 pmv88enea.pdf pdf_icon

PMV88ENEA

PMV88ENEA60 V, N-channel Trench MOSFET7 May 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology Ele

Другие MOSFET... PMV42ENE , PMV450ENEA , PMV48XPA2 , PMV52ENEA , PMV55ENEA , PMV60ENEA , PMV65ENEA , PMV74EPE , 20N50 , PMV90ENE , PMZ600UNEL , PMZ950UPEL , PMZB600UNEL , PMZB950UPEL , PSMN010-80YL , PSMN011-100YSF , PSMN012-100YL .

History: CSFR3N60LP | AP10N4R5S

 

 
Back to Top

 


 
.