PMV88ENEA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PMV88ENEA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.615 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.117 Ohm
Тип корпуса: SOT23
PMV88ENEA Datasheet (PDF)
pmv88enea.pdf
PMV88ENEA 60 V, N-channel Trench MOSFET 7 May 2019 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology Ele
Другие MOSFET... PMV42ENE , PMV450ENEA , PMV48XPA2 , PMV52ENEA , PMV55ENEA , PMV60ENEA , PMV65ENEA , PMV74EPE , STP80NF70 , PMV90ENE , PMZ600UNEL , PMZ950UPEL , PMZB600UNEL , PMZB950UPEL , PSMN010-80YL , PSMN011-100YSF , PSMN012-100YL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g


