PMZB950UPEL Todos los transistores

 

PMZB950UPEL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMZB950UPEL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT883B
     - Selección de transistores por parámetros

 

PMZB950UPEL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:719K  nxp
 pmzb950upel.pdf pdf_icon

PMZB950UPEL

PMZB950UPEL20 V, P-channel Trench MOSFET5 December 2016 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3(SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low leakage current Trench MOSFET technology Leadless ultra small and

 4.1. Size:225K  nxp
 pmzb950upe.pdf pdf_icon

PMZB950UPEL

PMZB950UPE20 V, P-channel Trench MOSFET28 July 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic packa

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HUF76419SF085 | KP746B1 | TMPF11N50SG | AP4407GS-HF | IPW65R280E6 | 2SK3679-01MR | ME4626-G

 

 
Back to Top

 


 
.