Справочник MOSFET. PMZB950UPEL

 

PMZB950UPEL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMZB950UPEL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: SOT883B
 

 Аналог (замена) для PMZB950UPEL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZB950UPEL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:719K  nxp
 pmzb950upel.pdf pdf_icon

PMZB950UPEL

PMZB950UPEL20 V, P-channel Trench MOSFET5 December 2016 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3(SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low leakage current Trench MOSFET technology Leadless ultra small and

 4.1. Size:225K  nxp
 pmzb950upe.pdf pdf_icon

PMZB950UPEL

PMZB950UPE20 V, P-channel Trench MOSFET28 July 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic packa

Другие MOSFET... PMV60ENEA , PMV65ENEA , PMV74EPE , PMV88ENEA , PMV90ENE , PMZ600UNEL , PMZ950UPEL , PMZB600UNEL , 10N65 , PSMN010-80YL , PSMN011-100YSF , PSMN012-100YL , PSMN012-60MS , PSMN013-60YL , PSMN014-80YL , PSMN015-100YL , PSMN018-100ESF .

History: IRFS842 | P6503FM6 | 2SK3484 | VBFB1203M | S40N08M | CJL8205A

 

 
Back to Top

 


 
.