STP55N06LFI Todos los transistores

 

STP55N06LFI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP55N06LFI

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 950 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm

Encapsulados: ISOWATT220

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STP55N06LFI datasheet

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STP55N06LFI

STB55NF06 - STB55NF06-1 STP55NF06 - STP55NF06FP N-channel 60V - 0.015 - 50A - D2PAK/I2PAK/TO-220/TO-220FP STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB55NF06 60V

 8.2. Size:793K  st
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STP55N06LFI

STB55NF06, STP55NF06, STP55NF06FP N-channel 60 V, 0.015 , 50 A STripFET II Power MOSFET in D PAK, TO-220 and TO-220FP packages Datasheet production data Features TAB TAB Order code VDSS RDS(on) max. ID STB55NF06 3 50 A 3 1 STP55NF06 60 V

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