STP55N06LFI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP55N06LFI
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 55 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 950 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOWATT220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP55N06LFI
STP55N06LFI Datasheet (PDF)
stb55nf06 stb55nf06-1 stp55nf06 stp55nf06fp.pdf
STB55NF06 - STB55NF06-1STP55NF06 - STP55NF06FPN-channel 60V - 0.015 - 50A - D2PAK/I2PAK/TO-220/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB55NF06 60V
stb55nf06t4 stp55nf06fp.pdf
STB55NF06, STP55NF06, STP55NF06FPN-channel 60 V, 0.015 , 50 A STripFET II Power MOSFET inDPAK, TO-220 and TO-220FP packagesDatasheet production dataFeaturesTABTABOrder code VDSS RDS(on) max. IDSTB55NF06350 A3 1STP55NF06 60 V
stp55ne06l.pdf
STP55NE06LSTP55NE06LFPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE" SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP55NE06L 60 V
stb55nf03l-1 stp55nf03l.pdf
STP55NF03LSTB55NF03L STB55NF03L-1N-CHANNEL 30V - 0.01 - 55A TO-220/D2PAK/I2PAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP55NF03L 30 V
stp55ne06.pdf
STP55NE06STP55NE06FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE" SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP55NE06 60 V
stp55nf06l.pdf
STP55NF06L - STP55NF06LFPSTB55NF06L - STB55NF06L-1N-CHANNEL 60V - 0.014 - 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAKSTripFETII POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP55NF06L 60 V
stb55nf06 stp55nf06 stp55nf06fp.pdf
STB55NF06, STP55NF06, STP55NF06FPN-channel 60 V, 0.015 , 50 A STripFET II Power MOSFET inDPAK, TO-220 and TO-220FP packagesDatasheet production dataFeaturesTABTABOrder code VDSS RDS(on) max. IDSTB55NF06350 A3 1STP55NF06 60 V
stp55ne06-fp.pdf
STP55NE06STP55NE06FPN-CHANNEL 60V - 0.019 - 55A TO-220/TO-220FP"SINGLE FEATURE SIZE" POWER MOSFETTable 1. General Features Figure 1. PackageType VDSS RDS(on) IDSTP55NE06 60 V
stp55nf06l stb55nf06l stb55nf06l-1.pdf
STP55NF06LSTB55NF06L - STB55NF06L-1N-channel 60V - 0.014 - 55A TO-220/D2PAK/I2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP55NF06L 60V
stb55nf06l-1 stb55nf06lt4 stb55nf06l stb55nf06l-1 stp55nf06l.pdf
STP55NF06LSTB55NF06L - STB55NF06L-1N-channel 60V - 0.014 - 55A TO-220/D2PAK/I2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP55NF06L 60V
stp55nf03l stb55nf03l-1.pdf
STP55NF03LSTB55NF03L STB55NF03L-1N-CHANNEL 30V - 0.01 - 55A TO-220/D2PAK/I2PAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP55NF03L 30 V
stp55nf06.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor STP55NF06DESCRIPTIONWith TO-220F packaging100% avalanche testedFast switching speedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSMotor controlAudio amplifiersDC-DC&DC-AC convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Sou
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918