Справочник MOSFET. STP55N06LFI

 

STP55N06LFI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP55N06LFI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 950 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP55N06LFI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:342K  st
 stp55n06l stp55n06lfi.pdf pdf_icon

STP55N06LFI

 7.1. Size:341K  st
 stp55n05l stp55n05lfi.pdf pdf_icon

STP55N06LFI

 8.1. Size:541K  st
 stb55nf06 stb55nf06-1 stp55nf06 stp55nf06fp.pdf pdf_icon

STP55N06LFI

STB55NF06 - STB55NF06-1STP55NF06 - STP55NF06FPN-channel 60V - 0.015 - 50A - D2PAK/I2PAK/TO-220/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB55NF06 60V

 8.2. Size:793K  st
 stb55nf06t4 stp55nf06fp.pdf pdf_icon

STP55N06LFI

STB55NF06, STP55NF06, STP55NF06FPN-channel 60 V, 0.015 , 50 A STripFET II Power MOSFET inDPAK, TO-220 and TO-220FP packagesDatasheet production dataFeaturesTABTABOrder code VDSS RDS(on) max. IDSTB55NF06350 A3 1STP55NF06 60 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP50N06FI , STP50N06L , STP50N06LFI , STP53N05 , STP53N06 , STP55N05L , STP55N05LFI , STP55N06L , IRF630 , STP5N25L , STP5N25LFI , STP5N30 , STP5N30FI , STP5N30L , STP5N30LFI , STP5N50 , STP5N50FI .

History: AP80T12GP-HF | RU1C002UN | AOD450 | WMO13N10TS | IRF3707SPBF | IRF7607PBF | SDU02N60

 

 
Back to Top

 


 
.