STP5N30LFI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP5N30LFI
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 165 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Encapsulados: ISOWATT220
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STP5N30LFI datasheet
stp5n30l.pdf
STP5N30L STP5N30LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP5N30L 300 V
stp5n30-.pdf
STP5N30 STP5N30FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP5N30 300 V
stp5n30.pdf
STP5N30 STP5N30FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP5N30 300 V
Otros transistores... STP55N05LFI , STP55N06L , STP55N06LFI , STP5N25L , STP5N25LFI , STP5N30 , STP5N30FI , STP5N30L , 8205A , STP5N50 , STP5N50FI , STP5N60 , STP5N60FI , STP5N80 , STP5N80FI , STP5N80XI , STP5N90 .
History: STP5N30FI | STP5N60FI
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