STP5N30LFI. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STP5N30LFI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 165 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: ISOWATT220
Аналог (замена) для STP5N30LFI
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STP5N30LFI даташит
stp5n30l.pdf
STP5N30L STP5N30LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP5N30L 300 V
stp5n30-.pdf
STP5N30 STP5N30FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP5N30 300 V
stp5n30.pdf
STP5N30 STP5N30FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP5N30 300 V
Другие MOSFET... STP55N05LFI , STP55N06L , STP55N06LFI , STP5N25L , STP5N25LFI , STP5N30 , STP5N30FI , STP5N30L , 8205A , STP5N50 , STP5N50FI , STP5N60 , STP5N60FI , STP5N80 , STP5N80FI , STP5N80XI , STP5N90 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E | ASB65R120EFD | ASB60R150E | ASA80R900E | ASA80R750E | ASA80R290E | ASA70R950E | ASA70R600E | ASA70R380E | ASA70R240E | ASA65R850E | ASA65R550E | ASA65R350E
Popular searches
2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313



