FDU3N50NZTU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDU3N50NZTU
Código: FDU3N50NZ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 40 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 6.2 nC
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 30 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: IPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDU3N50NZTU
FDU3N50NZTU Datasheet (PDF)
fdu3n50nztu.pdf
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