FDU3N50NZTU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDU3N50NZTU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для FDU3N50NZTU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDU3N50NZTU даташит

 ..1. Size:457K  onsemi
 fdu3n50nztu.pdf pdf_icon

FDU3N50NZTU

FDU3N50NZTU N-Channel UniFET II MOSFET 500 V, 2.5 A, 2.5 W UniFET II MOSFET is ON Semiconductor s high voltage www.onsemi.com MOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET family has the smallest on-state resistance among the planar MOSFET, and also provides superior D switching performance and higher avalanche energy strength. In addition,

 9.1. Size:762K  fairchild semi
 fdd3n40 fdu3n40.pdf pdf_icon

FDU3N50NZTU

February 2007 TM UniFET FDD3N40 / FDU3N40 400V N-Channel MOSFET Features Description 2A, 400V, RDS(on) = 3.4 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( typical 4.5 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.7 pF) This advanced technology has been especially ta

 9.2. Size:1444K  onsemi
 fdd3n40 fdu3n40.pdf pdf_icon

FDU3N50NZTU

Другие IGBT... FDPC8014AS, FDPF7N50U_G, FDS6898AZ-F085, FDS8449-F085, FDS86267P, FDS8949-F085, FDS8958A-F085, FDS8984-F085, IRF530, FDU5N50NZTU, FDU5N60NZTU, FDWS86068-F085, FDWS86368-F085, FDWS86369-F085, FDWS86380-F085, FDWS9508L-F085, FDWS9509L-F085