NTB095N65S3HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTB095N65S3HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 272 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm

Encapsulados: D2PAK

 Búsqueda de reemplazo de NTB095N65S3HF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

NTB095N65S3HF datasheet

 ..1. Size:334K  onsemi
 ntb095n65s3hf.pdf pdf_icon

NTB095N65S3HF

NTB095N65S3HF MOSFET N Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 36 A, 95 mW Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge VDSS RDS(ON) MAX ID MAX balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate 650 V 95 mW @ 10 V 36 A charge performance. This advanced technol

Otros transistores... FQD4P25TM-WS, FQD8P10TM-F085, FQT1N80TF-WS, HUF76629D3ST-F085, HUFA76429D3ST-F085, NCV8403B, NID9N05BCL, NTB004N10G, IRFZ48N, NTB110N65S3HF, NTB150N65S3HF, NTB190N65S3HF, NTBG020N120SC1, NTBG040N120SC1, NTBG060N090SC1, NTBG160N120SC1, NTBGS4D1N15MC