NTB095N65S3HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTB095N65S3HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для NTB095N65S3HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB095N65S3HF даташит

 ..1. Size:334K  onsemi
 ntb095n65s3hf.pdf pdf_icon

NTB095N65S3HF

NTB095N65S3HF MOSFET N Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 36 A, 95 mW Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge VDSS RDS(ON) MAX ID MAX balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate 650 V 95 mW @ 10 V 36 A charge performance. This advanced technol

Другие IGBT... FQD4P25TM-WS, FQD8P10TM-F085, FQT1N80TF-WS, HUF76629D3ST-F085, HUFA76429D3ST-F085, NCV8403B, NID9N05BCL, NTB004N10G, IRFZ48N, NTB110N65S3HF, NTB150N65S3HF, NTB190N65S3HF, NTBG020N120SC1, NTBG040N120SC1, NTBG060N090SC1, NTBG160N120SC1, NTBGS4D1N15MC