Справочник MOSFET. NTB095N65S3HF

 

NTB095N65S3HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTB095N65S3HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для NTB095N65S3HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB095N65S3HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:334K  onsemi
 ntb095n65s3hf.pdf pdf_icon

NTB095N65S3HF

NTB095N65S3HFMOSFET NChannel,SUPERFET III, FRFET650 V, 36 A, 95 mWDescription www.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargeVDSS RDS(ON) MAX ID MAXbalance technology for outstanding low on-resistance and lower gate650 V 95 mW @ 10 V 36 Acharge performance. This advanced technol

Другие MOSFET... FQD4P25TM-WS , FQD8P10TM-F085 , FQT1N80TF-WS , HUF76629D3ST-F085 , HUFA76429D3ST-F085 , NCV8403B , NID9N05BCL , NTB004N10G , RU7088R , NTB110N65S3HF , NTB150N65S3HF , NTB190N65S3HF , NTBG020N120SC1 , NTBG040N120SC1 , NTBG060N090SC1 , NTBG160N120SC1 , NTBGS4D1N15MC .

History: NCE65T540D | STH80N10F7-2 | H5N2519P | NCE9926 | XN0NE92 | SWD4N60DA | NP90N03VUG

 

 
Back to Top

 


 
.