NTBG060N090SC1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTBG060N090SC1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 211 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 22 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.084 Ohm

Encapsulados: D2PAK-7L

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NTBG060N090SC1 datasheet

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NTBG060N090SC1

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NTBG060N090SC1

MOSFET SiC Power, Single N-Channel, D2PAK-7L 1200 V, 40 mW, 60 A NTBG040N120SC1 Features Typ. RDS(on) = 40 mW www.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (Typ. QG(tot) = 106 nC) Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss = 139 pF) V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested TJ = 175 C 1200 V 56 mW @ 20 V 60 A This Device is Pb-Free and is RoHS Compliant

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NTBG060N090SC1

MOSFET - Power, Silicon Carbide, Single N-Channel, D2PAK7L, 1200 V, 98 A, 20 mOhm NTBG020N120SC1 Features Typ. RDS(on) = 20 mW www.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 220 nC) High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 258 pF) 100% Avalanche Tested V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX TJ = 175 C 1200 V 28 mW @ 20 V 98 A RoHS Compliant Typical Applic

Otros transistores... NID9N05BCL, NTB004N10G, NTB095N65S3HF, NTB110N65S3HF, NTB150N65S3HF, NTB190N65S3HF, NTBG020N120SC1, NTBG040N120SC1, AON7403, NTBG160N120SC1, NTBGS4D1N15MC, NTBGS6D5N15MC, NTBLS001N06C, NTBLS002N08MC, NTBLS0D7N06C, NTBLS1D5N08MC, NTBLS4D0N15MC