NTBG060N090SC1 Todos los transistores

 

NTBG060N090SC1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTBG060N090SC1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 211 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 88 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.084 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK-7L
     - Selección de transistores por parámetros

 

NTBG060N090SC1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:793K  onsemi
 ntbg060n090sc1.pdf pdf_icon

NTBG060N090SC1

MOSFET - SiC Power, SingleN-Channel, D2PAK-7L900 V, 60 mW, 44 ANTBG060N090SC1Features Typ. RDS(on) = 60 mW @ VGS = 15 Vwww.onsemi.com Typ. RDS(on) = 43 mW @ VGS = 18 V Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 88 nC) High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 115 pF)V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested900 V 84 mW @ 15 V 44 A TJ = 175C

 9.1. Size:336K  onsemi
 ntbg040n120sc1.pdf pdf_icon

NTBG060N090SC1

MOSFET SiC Power, SingleN-Channel, D2PAK-7L1200 V, 40 mW, 60 ANTBG040N120SC1Features Typ. RDS(on) = 40 mWwww.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (Typ. QG(tot) = 106 nC) Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss = 139 pF)V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested TJ = 175C 1200 V 56 mW @ 20 V 60 A This Device is Pb-Free and is RoHS Compliant

 9.2. Size:362K  onsemi
 ntbg020n120sc1.pdf pdf_icon

NTBG060N090SC1

MOSFET - Power, Silicon Carbide, Single N-Channel, D2PAK7L, 1200 V, 98 A, 20 mOhmNTBG020N120SC1Features Typ. RDS(on) = 20 mWwww.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 220 nC) High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 258 pF) 100% Avalanche TestedV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX TJ = 175C1200 V 28 mW @ 20 V 98 A RoHS CompliantTypical Applic

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: TT8J11 | CSD17306Q5A | IRFR5305TRPBF | P0460AS

 

 
Back to Top

 


 
.