NTBG060N090SC1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTBG060N090SC1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 211 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 22 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.084 Ohm

Тип корпуса: D2PAK-7L

Аналог (замена) для NTBG060N090SC1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTBG060N090SC1 даташит

 ..1. Size:793K  onsemi
 ntbg060n090sc1.pdf pdf_icon

NTBG060N090SC1

 9.1. Size:336K  onsemi
 ntbg040n120sc1.pdf pdf_icon

NTBG060N090SC1

MOSFET SiC Power, Single N-Channel, D2PAK-7L 1200 V, 40 mW, 60 A NTBG040N120SC1 Features Typ. RDS(on) = 40 mW www.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (Typ. QG(tot) = 106 nC) Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss = 139 pF) V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested TJ = 175 C 1200 V 56 mW @ 20 V 60 A This Device is Pb-Free and is RoHS Compliant

 9.2. Size:362K  onsemi
 ntbg020n120sc1.pdf pdf_icon

NTBG060N090SC1

MOSFET - Power, Silicon Carbide, Single N-Channel, D2PAK7L, 1200 V, 98 A, 20 mOhm NTBG020N120SC1 Features Typ. RDS(on) = 20 mW www.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 220 nC) High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 258 pF) 100% Avalanche Tested V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX TJ = 175 C 1200 V 28 mW @ 20 V 98 A RoHS Compliant Typical Applic

Другие IGBT... NID9N05BCL, NTB004N10G, NTB095N65S3HF, NTB110N65S3HF, NTB150N65S3HF, NTB190N65S3HF, NTBG020N120SC1, NTBG040N120SC1, AON7403, NTBG160N120SC1, NTBGS4D1N15MC, NTBGS6D5N15MC, NTBLS001N06C, NTBLS002N08MC, NTBLS0D7N06C, NTBLS1D5N08MC, NTBLS4D0N15MC