NTBS2D7N06M7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTBS2D7N06M7
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 176 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 110 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 80 nC
Tiempo de subida (tr): 52 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1745 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0027 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTBS2D7N06M7
NTBS2D7N06M7 Datasheet (PDF)
ntbs2d7n06m7.pdf
NTBS2D7N06M7NChannel PowerTrench)MOSFET60 V, 110 A, 2.7 mWFeatureswww.onsemi.com Typical RDS(on) = 2.2 mW at VGS = 10 V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 80 nC at VGS = 10 V, ID = 80 AD UIS Capability These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantApplications Industrial Motor DriveG Industrial Power Supply Industrial AutomationS Battery
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .