NTBS2D7N06M7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTBS2D7N06M7
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 176 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 110 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 80 nC
Время нарастания (tr): 52 ns
Выходная емкость (Cd): 1745 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0027 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для NTBS2D7N06M7
NTBS2D7N06M7 Datasheet (PDF)
..1. Size:232K onsemi
ntbs2d7n06m7.pdf
ntbs2d7n06m7.pdf
NTBS2D7N06M7NChannel PowerTrench)MOSFET60 V, 110 A, 2.7 mWFeatureswww.onsemi.com Typical RDS(on) = 2.2 mW at VGS = 10 V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 80 nC at VGS = 10 V, ID = 80 AD UIS Capability These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantApplications Industrial Motor DriveG Industrial Power Supply Industrial AutomationS Battery
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
