Справочник MOSFET. NTBS2D7N06M7

 

NTBS2D7N06M7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTBS2D7N06M7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1745 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для NTBS2D7N06M7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTBS2D7N06M7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  onsemi
 ntbs2d7n06m7.pdf pdf_icon

NTBS2D7N06M7

NTBS2D7N06M7NChannel PowerTrench)MOSFET60 V, 110 A, 2.7 mWFeatureswww.onsemi.com Typical RDS(on) = 2.2 mW at VGS = 10 V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 80 nC at VGS = 10 V, ID = 80 AD UIS Capability These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantApplications Industrial Motor DriveG Industrial Power Supply Industrial AutomationS Battery

Другие MOSFET... NTBG160N120SC1 , NTBGS4D1N15MC , NTBGS6D5N15MC , NTBLS001N06C , NTBLS002N08MC , NTBLS0D7N06C , NTBLS1D5N08MC , NTBLS4D0N15MC , IRFP064N , NTBS9D0N10MC , NTBV5605 , NTD360N80S3Z , NTD4979N , NTD5C446N , NTD5C668NL , NTDV18N06L , NTH027N65S3F .

History: R6020FNJ | IPA037N08N3

 

 
Back to Top

 


 
.