Справочник MOSFET. NTBS2D7N06M7

 

NTBS2D7N06M7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTBS2D7N06M7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 52 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1745 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTBS2D7N06M7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  onsemi
 ntbs2d7n06m7.pdf pdf_icon

NTBS2D7N06M7

NTBS2D7N06M7NChannel PowerTrench)MOSFET60 V, 110 A, 2.7 mWFeatureswww.onsemi.com Typical RDS(on) = 2.2 mW at VGS = 10 V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 80 nC at VGS = 10 V, ID = 80 AD UIS Capability These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantApplications Industrial Motor DriveG Industrial Power Supply Industrial AutomationS Battery

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STF2454A

 

 
Back to Top

 


 
.