NTD360N80S3Z Todos los transistores

 

NTD360N80S3Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTD360N80S3Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18.1 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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NTD360N80S3Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  onsemi
 ntd360n80s3z.pdf pdf_icon

NTD360N80S3Z

MOSFET Power,N-Channel, SUPERFET) III800 V, 360 mW, 13 ANTD360N80S3ZDescriptionwww.onsemi.com800 V SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors highperformance MOSFET family offering 800 V breakdown voltage.New 800 V SUPERFET III MOSFET which is optimized forV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXprimary switch of flyback converter, enables lower switching lossesand case temperatur

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History: FDD86369-F085 | ZXMP10A18G | MTP1N60E | IRFS150 | SCT3160KL | IXTP76N075T

 

 
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