NTD360N80S3Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTD360N80S3Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18.1 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm

Encapsulados: DPAK

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NTD360N80S3Z datasheet

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NTD360N80S3Z

MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET) III 800 V, 360 mW, 13 A NTD360N80S3Z Description www.onsemi.com 800 V SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s high performance MOSFET family offering 800 V breakdown voltage. New 800 V SUPERFET III MOSFET which is optimized for V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX primary switch of flyback converter, enables lower switching losses and case temperatur

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