Справочник MOSFET. NTD360N80S3Z

 

NTD360N80S3Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTD360N80S3Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18.1 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD360N80S3Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  onsemi
 ntd360n80s3z.pdf pdf_icon

NTD360N80S3Z

MOSFET Power,N-Channel, SUPERFET) III800 V, 360 mW, 13 ANTD360N80S3ZDescriptionwww.onsemi.com800 V SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors highperformance MOSFET family offering 800 V breakdown voltage.New 800 V SUPERFET III MOSFET which is optimized forV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXprimary switch of flyback converter, enables lower switching lossesand case temperatur

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HGD750N15M | MTE130N20FP | TK3A60DA | TTP118N08A | QS8K13 | NTB5404N

 

 
Back to Top

 


 
.