NTD360N80S3Z - аналоги и даташиты транзистора

 

NTD360N80S3Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NTD360N80S3Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18.1 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для NTD360N80S3Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD360N80S3Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  onsemi
 ntd360n80s3z.pdf pdf_icon

NTD360N80S3Z

MOSFET Power,N-Channel, SUPERFET) III800 V, 360 mW, 13 ANTD360N80S3ZDescriptionwww.onsemi.com800 V SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors highperformance MOSFET family offering 800 V breakdown voltage.New 800 V SUPERFET III MOSFET which is optimized forV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXprimary switch of flyback converter, enables lower switching lossesand case temperatur

Другие MOSFET... NTBLS001N06C , NTBLS002N08MC , NTBLS0D7N06C , NTBLS1D5N08MC , NTBLS4D0N15MC , NTBS2D7N06M7 , NTBS9D0N10MC , NTBV5605 , IRF3205 , NTD4979N , NTD5C446N , NTD5C668NL , NTDV18N06L , NTH027N65S3F , NTH4L020N120SC1 , NTH4L027N65S3F , NTH4L040N120SC1 .

 

 
Back to Top

 


 
.