Справочник MOSFET. NTD360N80S3Z

 

NTD360N80S3Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTD360N80S3Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 96 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.8 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 25.3 nC
   Время нарастания (tr): 18.5 ns
   Выходная емкость (Cd): 18.1 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.36 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для NTD360N80S3Z

 

 

NTD360N80S3Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  onsemi
ntd360n80s3z.pdf

NTD360N80S3Z
NTD360N80S3Z

MOSFET Power,N-Channel, SUPERFET) III800 V, 360 mW, 13 ANTD360N80S3ZDescriptionwww.onsemi.com800 V SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors highperformance MOSFET family offering 800 V breakdown voltage.New 800 V SUPERFET III MOSFET which is optimized forV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXprimary switch of flyback converter, enables lower switching lossesand case temperatur

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top