NTD5C446N Todos los transistores

 

NTD5C446N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTD5C446N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 66 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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NTD5C446N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:79K  onsemi
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NTD5C446N

NTD5C446NPower MOSFET40 V, 3.5 mW, 110 A, Single N-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losseswww.onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(on) IDMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)40 V 3.5 mW @ 10 V 110 AParameter Symbol Value Unit

 9.1. Size:132K  onsemi
 ntd5c668nl.pdf pdf_icon

NTD5C446N

NTD5C668NLPower MOSFET60 V, 8.9 mW, 48 A, Single N-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losseswww.onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(on) ID8.9 mW @ 10 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)60 V 49 A12.8 mW @ 4.5 VParameter S

Otros transistores... NTBLS0D7N06C , NTBLS1D5N08MC , NTBLS4D0N15MC , NTBS2D7N06M7 , NTBS9D0N10MC , NTBV5605 , NTD360N80S3Z , NTD4979N , IRF840 , NTD5C668NL , NTDV18N06L , NTH027N65S3F , NTH4L020N120SC1 , NTH4L027N65S3F , NTH4L040N120SC1 , NTH4L040N65S3F , NTH4L080N120SC1 .

History: STB16NS25T4 | NCE3050K | IXTP230N04T4M | 2N7262 | NTBLS0D7N06C | NTBS2D7N06M7

 

 
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