NTD5C446N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTD5C446N
   Código: 5C446N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 66 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 34.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTD5C446N

NTD5C446N Datasheet (PDF)

..1. Size:79K onsemi
ntd5c446n.pdf

NTD5C446NPower MOSFET40 V, 3.5 mW, 110 A, Single N-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losseswww.onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(on) IDMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)40 V 3.5 mW @ 10 V 110 AParameter Symbol Value Unit

9.1. Size:132K onsemi
ntd5c668nl.pdf

NTD5C668NLPower MOSFET60 V, 8.9 mW, 48 A, Single N-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losseswww.onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(on) ID8.9 mW @ 10 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)60 V 49 A12.8 mW @ 4.5 VParameter S

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: