NTD5C446N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTD5C446N
Маркировка: 5C446N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 66 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 110 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 34.3 nC
Время нарастания (tr): 62 ns
Выходная емкость (Cd): 1200 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0035 Ohm
Тип корпуса: DPAK
NTD5C446N Datasheet (PDF)
ntd5c446n.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NTD5C446NPower MOSFET40 V, 3.5 mW, 110 A, Single N-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losseswww.onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(on) IDMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)40 V 3.5 mW @ 10 V 110 AParameter Symbol Value Unit
ntd5c668nl.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NTD5C668NLPower MOSFET60 V, 8.9 mW, 48 A, Single N-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losseswww.onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(on) ID8.9 mW @ 10 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)60 V 49 A12.8 mW @ 4.5 VParameter S
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .