NTD5C446N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTD5C446N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NTD5C446N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD5C446N даташит

 ..1. Size:79K  onsemi
 ntd5c446n.pdf pdf_icon

NTD5C446N

NTD5C446N Power MOSFET 40 V, 3.5 mW, 110 A, Single N-Channel Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses www.onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) ID MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 40 V 3.5 mW @ 10 V 110 A Parameter Symbol Value Unit

 9.1. Size:132K  onsemi
 ntd5c668nl.pdf pdf_icon

NTD5C446N

NTD5C668NL Power MOSFET 60 V, 8.9 mW, 48 A, Single N-Channel Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses www.onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) ID 8.9 mW @ 10 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 60 V 49 A 12.8 mW @ 4.5 V Parameter S

Другие IGBT... NTBLS0D7N06C, NTBLS1D5N08MC, NTBLS4D0N15MC, NTBS2D7N06M7, NTBS9D0N10MC, NTBV5605, NTD360N80S3Z, NTD4979N, IRF840, NTD5C668NL, NTDV18N06L, NTH027N65S3F, NTH4L020N120SC1, NTH4L027N65S3F, NTH4L040N120SC1, NTH4L040N65S3F, NTH4L080N120SC1