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NTH027N65S3F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTH027N65S3F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 595 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0274 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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NTH027N65S3F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:348K  onsemi
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NTH027N65S3F

NTH027N65S3FPower MOSFET, N-Channel,SUPERFET) III, FRFET),650 V, 75 A, 27.4 mWDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highwww.onsemi.comvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tailored to

Otros transistores... NTBS2D7N06M7 , NTBS9D0N10MC , NTBV5605 , NTD360N80S3Z , NTD4979N , NTD5C446N , NTD5C668NL , NTDV18N06L , IRF540N , NTH4L020N120SC1 , NTH4L027N65S3F , NTH4L040N120SC1 , NTH4L040N65S3F , NTH4L080N120SC1 , NTH4L160N120SC1 , NTHD4P02F , NTHL020N090SC1 .

History: AUIRF1405 | IRF3706LPBF | FQD50N06 | PSU04N65B | GKI10194 | RQ1A060ZP | PSMN2R1-40PL

 

 
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