Справочник MOSFET. NTH027N65S3F

 

NTH027N65S3F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTH027N65S3F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 595 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0274 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для NTH027N65S3F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTH027N65S3F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:348K  onsemi
 nth027n65s3f.pdf pdf_icon

NTH027N65S3F

NTH027N65S3FPower MOSFET, N-Channel,SUPERFET) III, FRFET),650 V, 75 A, 27.4 mWDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highwww.onsemi.comvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tailored to

Другие MOSFET... NTBS2D7N06M7 , NTBS9D0N10MC , NTBV5605 , NTD360N80S3Z , NTD4979N , NTD5C446N , NTD5C668NL , NTDV18N06L , IRF540N , NTH4L020N120SC1 , NTH4L027N65S3F , NTH4L040N120SC1 , NTH4L040N65S3F , NTH4L080N120SC1 , NTH4L160N120SC1 , NTHD4P02F , NTHL020N090SC1 .

History: HMS80N10D | 2N7002HL

 

 
Back to Top

 


 
.