NTH027N65S3F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTH027N65S3F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 595 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0274 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для NTH027N65S3F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTH027N65S3F даташит

 ..1. Size:348K  onsemi
 nth027n65s3f.pdf pdf_icon

NTH027N65S3F

NTH027N65S3F Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET) III, FRFET), 650 V, 75 A, 27.4 mW Description SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high www.onsemi.com voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate VDSS RDS(ON) MAX ID MAX charge performance. This advanced technology is tailored to

Другие IGBT... NTBS2D7N06M7, NTBS9D0N10MC, NTBV5605, NTD360N80S3Z, NTD4979N, NTD5C446N, NTD5C668NL, NTDV18N06L, IRF540, NTH4L020N120SC1, NTH4L027N65S3F, NTH4L040N120SC1, NTH4L040N65S3F, NTH4L080N120SC1, NTH4L160N120SC1, NTHD4P02F, NTHL020N090SC1