STP5N80XI Todos los transistores

 

STP5N80XI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP5N80XI

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm

Encapsulados: ISOWATT221

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STP5N80XI datasheet

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STP5N80XI

 7.1. Size:316K  st
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STP5N80XI

 9.1. Size:776K  st
stb5nk52zd-1 std5nk52zd stf5nk52zd stp5nk52zd.pdf pdf_icon

STP5N80XI

STD5NK52ZD, STB5NK52ZD-1 STF5NK52ZD,STP5NK52ZD N-channel 520 V,1.22 ,4.4 A,TO-220,IPAK,I2PAK,DPAK,TO-220FP Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max 3 2 IPAK 3 STB5NK52ZD-1 520 V

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stp5nb40 stp5nb40fp.pdf pdf_icon

STP5N80XI

STP5NB40 STP5NB40FP N-CHANNEL 400V - 1.47 - 4.7A TO-220/TO-220FP PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP5NB40 400 V

Otros transistores... STP5N30L , STP5N30LFI , STP5N50 , STP5N50FI , STP5N60 , STP5N60FI , STP5N80 , STP5N80FI , STP75NF75 , STP5N90 , STP5N90FI , STP5NA50 , STP5NA50FI , STP5NA60 , STP5NA60FI , STP5NA80 , STP5NA80FI .

 

 

 

 

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