Справочник MOSFET. STP5N80XI

 

STP5N80XI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP5N80XI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 75 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT221
 

 Аналог (замена) для STP5N80XI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP5N80XI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:295K  st
stp5n80xi.pdfpdf_icon

STP5N80XI

 7.1. Size:316K  st
stp5n80.pdfpdf_icon

STP5N80XI

 9.1. Size:776K  st
stb5nk52zd-1 std5nk52zd stf5nk52zd stp5nk52zd.pdfpdf_icon

STP5N80XI

STD5NK52ZD, STB5NK52ZD-1STF5NK52ZD,STP5NK52ZDN-channel 520 V,1.22 ,4.4 A,TO-220,IPAK,I2PAK,DPAK,TO-220FPZener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax32IPAK3STB5NK52ZD-1 520 V

 9.2. Size:240K  st
stp5nb40 stp5nb40fp.pdfpdf_icon

STP5N80XI

STP5NB40STP5NB40FPN-CHANNEL 400V - 1.47 - 4.7A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NB40 400 V

Другие MOSFET... STP5N30L , STP5N30LFI , STP5N50 , STP5N50FI , STP5N60 , STP5N60FI , STP5N80 , STP5N80FI , 12N60 , STP5N90 , STP5N90FI , STP5NA50 , STP5NA50FI , STP5NA60 , STP5NA60FI , STP5NA80 , STP5NA80FI .

History: SM8206AO

 

 
Back to Top

 


 
.