NTHL160N120SC1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTHL160N120SC1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 119 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 17 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.3 V
   Carga de la puerta (Qg): 34 nC
   Tiempo de subida (tr): 19 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 50 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.224 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTHL160N120SC1

NTHL160N120SC1 Datasheet (PDF)

..1. Size:305K onsemi
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Liste

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