NTHL160N120SC1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTHL160N120SC1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 119 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.224 Ohm

Encapsulados: TO-247

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NTHL160N120SC1 datasheet

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NTHL160N120SC1

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NTHL160N120SC1

NTHL110N65S3F MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 30 A, 110 mW Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate VDSS RDS(on) MAX ID MAX charge performance. This advanced technology is tailored to

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NTHL160N120SC1

MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 20 A, 190 mW NTHL190N65S3HF www.onsemi.com Description SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high VDSS RDS(on) MAX ID MAX voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge 650 V 190 m @ 10 V 20 A balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advan

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