NTHL160N120SC1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTHL160N120SC1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.224 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для NTHL160N120SC1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTHL160N120SC1 даташит

 ..1. Size:305K  onsemi
 nthl160n120sc1.pdf pdf_icon

NTHL160N120SC1

 9.1. Size:422K  onsemi
 nthl110n65s3f.pdf pdf_icon

NTHL160N120SC1

NTHL110N65S3F MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 30 A, 110 mW Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate VDSS RDS(on) MAX ID MAX charge performance. This advanced technology is tailored to

 9.2. Size:506K  onsemi
 nthl190n65s3hf.pdf pdf_icon

NTHL160N120SC1

MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 20 A, 190 mW NTHL190N65S3HF www.onsemi.com Description SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high VDSS RDS(on) MAX ID MAX voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge 650 V 190 m @ 10 V 20 A balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advan

Другие IGBT... NTHL040N120SC1, NTHL040N65S3HF, NTHL050N65S3HF, NTHL060N090SC1, NTHL080N120SC1, NTHL080N120SC1A, NTHL095N65S3HF, NTHL110N65S3F, IRFP250N, NTHL190N65S3HF, NTHLD040N65S3HF, NTHS5404T1, NTHS5441, NTLJS17D0P03P8Z, NTLUD3A260PZ, NTLUS3A40PZ, NTMD6P02R2