Справочник MOSFET. NTHL160N120SC1

 

NTHL160N120SC1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTHL160N120SC1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 34 nC
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.224 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для NTHL160N120SC1

 

 

NTHL160N120SC1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  onsemi
 nthl160n120sc1.pdf

NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1

MOSFET - SiC Power, SingleN-Channel1200 V, 160 mW, 17 ANTHL160N120SC1Features Typ. RDS(on) = 160 mWwww.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 34 nC) Low Effective Output Capacitance (Coss = 50 pF)V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% UIL Tested1200 V 224 mW @ 20 V 17 A These Devices are RoHS CompliantTypical ApplicationsN-CHANNEL MOSFET UPSD

 9.1. Size:422K  onsemi
 nthl110n65s3f.pdf

NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1

NTHL110N65S3FMOSFET Power, N-Channel,SUPERFET III, FRFET650 V, 30 A, 110 mWDescriptionwww.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(on) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tailored to

 9.2. Size:506K  onsemi
 nthl190n65s3hf.pdf

NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1

MOSFET Power,N-Channel, SUPERFET III,FRFET650 V, 20 A, 190 mWNTHL190N65S3HFwww.onsemi.comDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highVDSS RDS(on) MAX ID MAXvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge650 V 190 m @ 10 V 20 Abalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This advan

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top