MTMC8E2A0LBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTMC8E2A0LBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 700 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm

Encapsulados: WMINI8-F1 SC-115

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MTMC8E2A0LBF datasheet

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MTMC8E2A0LBF

Doc No. TT4-EA-12100 Revision. 2 Product Standards MOS FET MTMC8E2A0LBF MTMC8E2A0LBF Gate Resistor installed Dual N-Channel MOS Typ Unit mm 2.9 For lithium-ion secondary battery protection circuit 0.3 0.16 8 7 6 5 Features Low drain-source On-state Resistance RDS(on) typ. = 15 m (VGS =4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 com

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MTMC8E2A0LBF

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). MTMC8E2A Silicon N-channel MOS FET For lithium-ion secondary battery protection circuit Overview Package The MTMC8E2A is the low ON resistance dual N-channel MOS FET Code designed for lithium-ion secondary battery protection circuit. WMini8-F1 Package dimension clicks here. Click! Features Low drain-

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