MTMC8E2A0LBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTMC8E2A0LBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 700 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: WMINI8-F1 SC-115

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MTMC8E2A0LBF Datasheet (PDF)

..1. Size:279K panasonic
mtmc8e2a0lbf.pdf

Doc No. TT4-EA-12100Revision. 2Product StandardsMOS FETMTMC8E2A0LBFMTMC8E2A0LBFGate Resistor installed Dual N-Channel MOS TypUnit: mm 2.9For lithium-ion secondary battery protection circuit0.3 0.168 7 6 5 Features Low drain-source On-state Resistance RDS(on) typ. = 15 m (VGS =4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 com

6.1. Size:434K panasonic
mtmc8e2a.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).MTMC8E2ASilicon N-channel MOS FETFor lithium-ion secondary battery protection circuit Overview PackageThe MTMC8E2A is the low ON resistance dual N-channel MOS FET Codedesigned for lithium-ion secondary battery protection circuit. WMini8-F1Package dimension clicks here. Click! Features Low drain-

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History: IPDH4N03LAG

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: