MTMC8E2A0LBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTMC8E2A0LBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 700 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: WMINI8-F1 SC-115

Аналог (замена) для MTMC8E2A0LBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTMC8E2A0LBF даташит

 ..1. Size:279K  panasonic
 mtmc8e2a0lbf.pdf pdf_icon

MTMC8E2A0LBF

Doc No. TT4-EA-12100 Revision. 2 Product Standards MOS FET MTMC8E2A0LBF MTMC8E2A0LBF Gate Resistor installed Dual N-Channel MOS Typ Unit mm 2.9 For lithium-ion secondary battery protection circuit 0.3 0.16 8 7 6 5 Features Low drain-source On-state Resistance RDS(on) typ. = 15 m (VGS =4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 com

 6.1. Size:434K  panasonic
 mtmc8e2a.pdf pdf_icon

MTMC8E2A0LBF

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). MTMC8E2A Silicon N-channel MOS FET For lithium-ion secondary battery protection circuit Overview Package The MTMC8E2A is the low ON resistance dual N-channel MOS FET Code designed for lithium-ion secondary battery protection circuit. WMini8-F1 Package dimension clicks here. Click! Features Low drain-

Другие IGBT... NTHS5441, NTLJS17D0P03P8Z, NTLUD3A260PZ, NTLUS3A40PZ, NTMD6P02R2, NTMFD016N06C, FCAB21490L1, FCAB21520L1, IRFP260, NTMFD020N06C, NTMFD024N06C, NTMFD030N06C, NTMFD4C50N, NTMFD5875NL, NTMFD5C446NL, NTMFD5C466N, NTMFD5C466NL